达林顿晶体管阵列选型参数，结构原理，工艺与注意问题总结

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1，概述

    达林顿晶体管阵列（Darlington Transistor Array）是一种特殊的晶体管电路结构，由两个或多个晶体管级联而成。这种结构的主要目的是提高电路的增益和电流放大能力。达林顿晶体管阵列通常用于高电压、大电流的开关和控制应用，例如电动机控制、电源开关和继电器驱动等。本文对达林顿晶体管阵列的工作原理，结构特点，工艺流程，选型参数及设计注意事项进行总结。

1，工作原理

    达林顿晶体管阵列的工作原理基于达林顿管的基本工作原理，即将两个晶体管级联起来形成共射放大器。
    在达林顿晶体管阵列中，第一个晶体管作为电流放大器，负责放大输入信号并驱动第二个晶体管。第二个晶体管则作为电压放大器，将电流信号转换为输出电压信号。两个晶体管的发射极i/p连接到晶体管基极的o/p，晶体管的集电极连接在一起。这种连接方式使得晶体管i/p放大了电流，甚至通过晶体管o/p进一步放大了电流。
    达林顿晶体管阵列与普通三极管的区别在于它具有更高的输入电阻和更高的输出电阻。这意味着它需要更高的输入信号才能工作，并且在输出端需要额外的负载电路来降低输出阻抗。
此外，达林顿晶体管阵列还具有较高的电流增益，可以使用来自微控制器或传感器的少量电流来运行更大的负载。